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日本村田增加硅电容器产能 8年新增5.02亿

时间 :2023-06-27 21:05:46   来源 : 中关村在线


【资料图】

近日，日本电容器（MLCC）大厂村田制作所宣布，计划在未来八年内对日本国内的金泽村田制作所、仙台村田制作所以及芬兰子公司投入约100亿日元（约5.02亿元人民币），以提高硅电容器产能至现有的两倍。 目前，硅电容器主要应用于医疗设备领域，但未来有望扩展到智能手机和服务器等应用。村田制作所期望通过投资增产来及时抓住市场需求。硅电容器采用半导体制造工艺制作，其介电层为稳定性更好的硅材料。 与现有的主流电容器相比，硅电容器具有更高的电容密度、可靠性和高频特性等优势，老化时间可长达10年，其额定温度可高达250℃，在恶劣环境下表现更优。然而，当前硅电容器的价格是普通 MLCC 的几十倍，因此其应用范围主要集中在高附加值、对成本不敏感的尖端医疗设备等领域。 考虑到硅电容器在轻薄方面具有优势，对于内部空间日益紧张的智能手机而言，硅电容器是一个很好的选择。村田制作所的硅电容器厚度可低至0.05毫米。 今年3月，村田制作所曾宣布，将在2024年之前投资约5000万欧元（约3.92亿元人民币）增加硅电容器产能。此次投资计划将在两家日本工厂和芬兰子公司建立相同的生产系统，以实现全球化的硅电容器供应。

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